提 供 商：
復(fù)納科學(xué)儀器（上海）有限公司資料大小：
圖片類型：
資料類型：
PDF下載次數(shù)：
165點擊下載：
文件下載詳細(xì)介紹：
背散射電子（BSE）是由入射電子束與原子核的彈性散射或非彈性散射所產(chǎn)生的高能電子。背散射電子（BSE）的產(chǎn)率，即出射的背散射電子（BSE）數(shù)與入射電子數(shù)之比，取決于樣品平均原子序數(shù)：平均原子序數(shù)越高，或元素越重，襯度就越亮。在飛納臺式掃描電鏡中，背散射電子是通過放置在樣品上方的四分割半導(dǎo)體探測器檢測到的。在這篇博客中，將解釋什么是半導(dǎo)體探測器，以及如何在掃描電子顯微鏡下檢測背散射電子。
背散射電子的發(fā)射
當(dāng)入射電子擊中樣品表面時，入射電子與原子的原子核相互作用，并偏離其軌跡，如圖1所示。
圖1：入射電子與原子核相互作用后散射的示意圖
如果條件合適，入射電子可以被散射回來，并脫離樣品表面，保持其高能量。一般來說，較重的元素，因為它們的原子核較大，可以比較輕的元素更強(qiáng)烈地偏轉(zhuǎn)入射電子。因此，在掃描電鏡圖像中，像銀這樣的重元素（原子序數(shù)為47）與原子序數(shù)為14的輕元素（如硅）相比顯得更加明亮，因為更多的背散射電子從樣品表面發(fā)射出來。
傳真：
地址：上海市閔行區(qū)虹橋鎮(zhèn)申濱路 88 號上海虹橋麗寶廣場 T5，705 室
版權(quán)所有 © 2018 復(fù)納科學(xué)儀器（上海）有限公司 備案號：滬ICP備12015467號-2 管理登陸 技術(shù)支持：化工儀器網(wǎng) GoogleSitemap
